[发明专利]高功率激光二极管阵列结构有效
| 申请号： | 200610062669.9 | 申请日： | 2006-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN101150244A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 高云峰;肖岗;蒲罡;陈建飞;杨延青 | 申请（专利权）人： | 深圳市大族激光科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01S5/40;H01S5/024 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518057广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种单芯节高功率激光二极管阵列结构，包括盖板、至少一个单芯管、腔体及绝缘层，腔体底面设有至少一安装孔，单芯管包括定位防转部分和柱形安装部分，柱形安装部分底面安装单芯节，单芯管对应安装在腔体的安装孔内，其定位防转部分置于腔体内，柱形安装部分对应置于安装孔内，盖板盖于腔体上，绝缘层对应腔体的安装孔也开设孔，并对应安装在腔体的底面。本发明能替代LDA的单芯节高功率激光二极管阵列结构，能够满足激光加工设备所需的大功率、高可靠性、长寿命的发展趋势，同时具有制造工艺简单、高可靠性、长寿命的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 激光二极管 阵列 结构 | ||
【主权项】：
1.一种单芯节高功率激光二极管阵列结构，包括盖板、至少一个单芯管、腔体及绝缘层，其特征在于：腔体底面设有至少一安装孔，单芯管包括定位防转部分和柱形安装部分，柱形安装部分底面安装单芯节，单芯管对应安装在腔体的安装孔内，其定位防转部分置于腔体内，柱形安装部分对应置于安装孔内，盖板盖于腔体上，绝缘层对应腔体的安装孔也开设孔，并对应安装在腔体的底面。
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