[发明专利]多层基板间交互连结结构的制造方法及其交互连结结构有效
| 申请号： | 200610063661.4 | 申请日： | 2006-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101211790A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 杨之光 | 申请（专利权）人： | 巨擘科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498;H01L23/538 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种若干个多层基板间交互连结结构的制造方法及其交互连结结构。本发明的方法包括以下步骤：使每一多层基板上至少一介电层及与其对应的金属层的端缘从其它相邻介电层局部及其对应金属层的端缘分离；以及，将其中一多层基板的该至少一介电层的分离端缘黏结于另一多层基板的具分离端缘的金属层，以完成这些多层基板间交互连结的结构。本发明的交互连结结构则至少包括一第一多层基板与一第二多层基板。第一多层基板的至少一第一金属层与该第二多层基板的至少一第二金属层相互黏结以形成一连结部。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 基板间 交互 连结 结构 制造 方法 及其 | ||
【主权项】：
1.一种多层基板间交互连结结构的制造方法，每一多层基板具有若干个相互交叠的金属层与若干个介电层，其特征在于该制造方法包括下列步骤：使每一多层基板上至少一介电层及与其对应的金属层的端缘各从其它相邻介电层局部及其对应金属层的端缘分离；以及将其中一多层基板的该至少一介电层的分离端缘黏结于另一多层基板的具分离端缘的金属层，以完成这些多层基板间交互连结的结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
