[发明专利]有机绝缘体组合物、有机绝缘膜、有机薄膜晶体管和电子设备以及形成这些产品的方法

摘要

本发明涉及一种有机绝缘体组合物，具有此有机绝缘体组合物的有机绝缘膜，具有此有机绝缘膜的有机薄膜晶体管，具有此有机薄膜晶体管的电子设备，以及形成这些产品的方法。本发明还涉及包括氟化硅烷化合物的有机绝缘体组合物，该化合物可以用于改进有机薄膜晶体管的载流子迁移率和滞后现象。提供包括氟化硅烷化合物的有机绝缘体组合物，以及使用该组合物的有机薄膜晶体管。使用此有机绝缘体组合物可以改进此有机薄膜晶体管的滞后和物理特性，例如阈值电压和/或载流子迁移率。此有机薄膜晶体管可有效用于包括液晶显示器(LCD)和/或光电设备在内的各种电子设备的制造。

主权项

1.一种有机绝缘体组合物，其包括：(i)由下面的化学式1或2表示的硅烷化合物：R1SiX1X2X3 (1)其中R1选自C1-C20烷基、链烯基、炔基、芳基、芳烷基、环烷基、杂烷基、杂芳基、杂芳烷基，其中氟原子完全或部分地取代共价键结至碳原子的氢原子，且X1、X2、X3每个都独立地为卤素原子或者C1-C20烷氧基，条件是X1、X2、X3中的至少一个是可水解的官能团，R1R2SiX1X2 (2)其中R1和R2均独立地选自C1-C20烷基、链烯基、炔基、芳基、芳烷基、环烷基、杂烷基、杂芳基、杂芳烷基，其中氟原子完全或部分地取代共价键结至碳原子的氢原子，且X1和X2每个都独立地为卤素原子或者C1-C20 烷氧基，条件是X1、X2中的至少一个是可水解的官能团，它们的混合物或聚合物，或它们与下列化学式3-5中任何一个所表示的化合物的混合物或共聚物：SiX1X2X3X4 (3)X1、X2、X3、X4每个都独立地为卤素原子或者C1-C20烷氧基，条件是X1、X2、X3、X4中的至少一个是可水解的官能团，R3SiX1X2X3 (4)其中R3选自氢原子、被取代的和未被取代的C1-C20烷基、被取代的和未被取代的C2-C20链烯基、被取代的和未被取代的C2-C20炔基、被取代的和未被取代的C6-C20芳基、被取代的和未被取代的C6-C20芳烷基、被取代的和未被取代的C1-C20杂烷基、被取代的和未被取代的C4-C20杂芳基和被取代的和未被取代的C4-C20杂芳烷基，且X1、X2和X3每个都独立地是卤素原子或C1-C20烷氧基，条件是X1、X2、X3中的至少一个是可水解的官能团，R3R4SiX1X2(5)其中R3、R4每个都独立地选自氢原子、被取代的和未被取代的C1-C20 烷基、被取代的和未被取代的C2-C20链烯基、被取代的和未被取代的C2-C20 炔基、被取代的和未被取代的C6-C20芳基、被取代的和未被取代的C6-C20 芳烷基、被取代的和未被取代的C1-C20杂烷基、被取代的和未被取代的C4-C20杂芳基和被取代的和未被取代的C4-C20杂芳烷基，且X1、X2每个都独立地是卤素原子或C1-C20烷氧基，条件是X1、X2中的至少一个是可水解的官能团；(ii)有机金属化合物；和(iii)溶剂。