[发明专利]制造电子器件冷却系统的方法无效
| 申请号： | 200610064127.5 | 申请日： | 2006-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1988764A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | K·M·杜罗彻;S·J·古德文;E·W·巴尔克;C·J·卡普斯塔 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H05K3/00 | 分类号： | H05K3/00;H05K7/20;H01L21/00;H01L23/473 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 廖凌玲 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种方法。该方法包括在基板(12)的内表面上形成传导层，和在传导层上方提供牺牲层(36)。该方法包括在牺牲层(36)中形成多个通道，和电镀牺牲层，以用包括传导材料的电镀材料基本上填充多个通道。该方法还包括蚀刻牺牲层(36)以形成具有翅片的传导结构，在该处保留传导材料，所述翅片由在蚀刻了牺牲层(36)的位置处的微通道隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 电子器件 冷却系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在基板(12)的内表面上形成传导层；在传导层上方提供牺牲层(36)；在牺牲层(36)中形成多个通道；电镀牺牲层(36)，以用包括传导材料的电镀材料基本填充多个通道；和蚀刻牺牲层(36)，以形成具有翅片的传导结构，在该处保留传导材料，所述翅片由在蚀刻所述牺牲层的位置处的微通道隔开。
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