[发明专利]半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 200610064213.6 申请日: 2006-12-28
公开(公告)号: CN1992151A 公开(公告)日: 2007-07-04
发明(设计)人: 龟山工次郎;铃木彰;及川贵弘 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社;三洋半导体制造株式会社;三洋半导体株式会社
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/48
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体装置的制造方法。在使用支承体的半导体装置的制造方法中,不使制造工序复杂化,而谋求提高可靠性和成品率。以抗蚀剂层或保护层(20)作为掩模顺序蚀刻除去第二绝缘膜(9)、半导体基板(1)、第一绝缘膜(2)和钝化膜(4)。通过该蚀刻粘接层(5)在该开口部(21)内一部分露出。在此时多个半导体装置分割成各个半导体芯片。接着,如图10所示,通过开口部(21)对露出的粘接层(5)供给溶解剂(25)(例如酒精或丙酮),通过使粘接力逐渐降低,从半导体基板(1)剥离除去支承体(6)。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
1、一种半导体装置的制造方法,其特征在于,具有:准备在其表面上形成有焊盘电极的半导体基板,在上述半导体基板的表面上通过粘接层贴合支承体的工序;在上述半导体基板上形成通路孔的工序;在上述通路孔中形成与上述焊盘电极电连接的贯通电极的工序;形成覆盖含有上述贯通电极的上述半导体基板背面上的保护层的工序;除去一部分上述半导体基板,使上述粘接层一部分露出的工序;通过从露出上述粘接层的位置供给使上述粘接层溶解的溶解剂,从上述半导体基板分离上述支承体的工序。
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