[发明专利]半导体装置的制造方法有效
申请号: | 200610064213.6 | 申请日: | 2006-12-28 |
公开(公告)号: | CN1992151A | 公开(公告)日: | 2007-07-04 |
发明(设计)人: | 龟山工次郎;铃木彰;及川贵弘 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社;三洋半导体制造株式会社;三洋半导体株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/48 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种半导体装置的制造方法。在使用支承体的半导体装置的制造方法中,不使制造工序复杂化,而谋求提高可靠性和成品率。以抗蚀剂层或保护层(20)作为掩模顺序蚀刻除去第二绝缘膜(9)、半导体基板(1)、第一绝缘膜(2)和钝化膜(4)。通过该蚀刻粘接层(5)在该开口部(21)内一部分露出。在此时多个半导体装置分割成各个半导体芯片。接着,如图10所示,通过开口部(21)对露出的粘接层(5)供给溶解剂(25)(例如酒精或丙酮),通过使粘接力逐渐降低,从半导体基板(1)剥离除去支承体(6)。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种半导体装置的制造方法,其特征在于,具有:准备在其表面上形成有焊盘电极的半导体基板,在上述半导体基板的表面上通过粘接层贴合支承体的工序;在上述半导体基板上形成通路孔的工序;在上述通路孔中形成与上述焊盘电极电连接的贯通电极的工序;形成覆盖含有上述贯通电极的上述半导体基板背面上的保护层的工序;除去一部分上述半导体基板,使上述粘接层一部分露出的工序;通过从露出上述粘接层的位置供给使上述粘接层溶解的溶解剂,从上述半导体基板分离上述支承体的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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