[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200610064264.9 | 申请日： | 2006-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101013558A | 公开（公告）日： | 2007-08-08 |
| 发明（设计）人： | 木村肇 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G09G3/32 | 分类号： | G09G3/32;G09G3/30;G09G3/20;H05B33/08;H05B33/14;H05B37/02;H01L51/50;H01L27/32;G09F9/33 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜娟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，其能够降低晶体管特性变化的影响，即使在负载的电压－电流特性改变时也能提供预定的电流，并且即使信号电流的量很小时也可以充分地提高信号的写速度。在该半导体器件中，电流－电压转换元件和晶体管串联连接；且放大器电路检测当电流流到电流－电压转换元件时施加的电压，并根据该电压设定晶体管的栅－源电压。因此，由于该放大器电路具有低输出阻抗，所以即使信号电流的量小时，也可以充分地提高信号的写速度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：晶体管；电流-电压转换元件，其中该电流-电压转换元件电连接到所述晶体管的源极端子和漏极端子中的一个；和放大器电路，其中该放大器电路通过控制所述晶体管的栅-源电压来控制在所述电流-电压转换元件中产生的电压。
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