[发明专利]用于预测热引起的衬底变形的方法和装置以及半导体器件有效
| 申请号： | 200610064293.5 | 申请日： | 2006-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN101008789A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | B·门克特奇科夫;F·E·德琼格 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘红;张志醒 |
| 地址： | 荷兰费*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了用于校正热引起的光刻曝光衬底的区域变形的方法。第一，提供一种模型来预测热引起的多个衬底区域的区域变形信息。接着基于通过模型所预测的热引起的变形信息修改所使用的预先规定曝光信息以设置区域曝光。最后根据所修改的预先规定曝光信息将图形曝光到该区域上。通过模型预测热引起的区域变形信息包括预测衬底上选定点的变形效应。所述模型基于穿过衬底传输的能量的时间衰减特性和选定点与所述衬底边缘之间的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 预测 引起 衬底 变形 方法 装置 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于预测热引起的待曝光光刻衬底的区域变形的方法，包括：提供预先规定的曝光信息；基于预先规定的曝光信息在已选定的衬底点处使用模型来预测热引起的区域变形；其中所述模型基于穿过所述衬底传输的能量随时间衰减特性；和在已选定点和所述衬底边缘之间的距离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司，未经ASML荷兰有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610064293.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种解酒植物饮料及其配制方法
- 下一篇：挡水卷帘门
