[发明专利]硅表面清洁溶液以及用其制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200610064332.1 | 申请日： | 2006-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101024882A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 金相溶;洪昌基;沈雨宽 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C23F1/24 | 分类号： | C23F1/24;H01L21/306 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种用于硅表面的清洁溶液，所述清洁溶液含有缓冲溶液，该缓冲溶液包括醋酸(CH3COOH)和醋酸铵(CH3COONH4)、碘氧化剂、氢氟酸(HF)和水。在用于制造半导体器件的方法中，硅基片可具有被暴露的硅表面，可以使用含有缓冲溶液的清洁溶液来清洁该暴露的硅表面，该缓冲溶液包括醋酸、醋酸铵、碘氧化剂、氢氟酸和水。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 清洁 溶液 以及 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅表面清洁溶液，包括：缓冲溶液，所述缓冲溶液包括醋酸和醋酸铵、碘氧化剂、氢氟酸和水。
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