[发明专利]形成T或伽玛形电极的方法有效
| 申请号： | 200610064335.5 | 申请日： | 2006-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN101005019A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 安浩均;林钟元;文载京;张宇镇;池弘九;金海天 | 申请（专利权）人： | 韩国电子通信研究院 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成精细T或伽玛形栅极电极的方法，包括：在半导体衬底上沉积第一绝缘层；在该第一绝缘层上涂覆具有彼此不同的敏感度的至少两个光致抗蚀剂层，且构图该光致抗蚀剂层以具有不同尺寸的开口；使用该光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模蚀刻该第一绝缘层以形成其中接触衬底的部分比其上面的部分窄的台阶式孔，并移除该光致抗蚀剂层；在该第一绝缘层上形成光致抗蚀剂层，并在该光致抗蚀剂层中形成开口以具有T或伽玛形栅极头图案；关于栅极图案进行栅极凹进工艺；以及沉积栅极金属在该栅极图案上，并移除该光致抗蚀剂层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 伽玛形 电极 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成T或伽玛形栅极电极的方法，包括：第一步骤，在半导体衬底上沉积第一绝缘层；第二步骤，在该第一绝缘层上涂敷具有彼此不同敏感度的至少两光致抗蚀剂层，并构图该光致抗蚀剂层以具有不同尺寸的开口；第三步骤，使用该光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模蚀刻该第一绝缘层以形成其中接触该衬底的部分比其上面的部分窄的台阶式孔，并移除该光致抗蚀剂层；第四步骤，在该第一绝缘层上形成光致抗蚀剂层，并在该光致抗蚀剂层中形成开口以具有T或伽玛形栅极头图案；第五步骤，关于该栅极图案进行栅极凹进工艺；以及第六步骤，在该栅极图案上沉积栅极金属，并移除该光致抗蚀剂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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