[发明专利]有机薄膜晶体管阵列板无效
申请号: | 200610064368.X | 申请日: | 2006-11-16 |
公开(公告)号: | CN101017840A | 公开(公告)日: | 2007-08-15 |
发明(设计)人: | 宋根圭;赵承奂 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/28 | 分类号: | H01L27/28;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种有机薄膜晶体管阵列板及其制造方法,该阵列板包括:衬底;形成在衬底上的数据线;连接到数据线的源极电极;包含面对源极电极的部分的漏极电极;与源极电极和漏极电极部分交叠的第一有机半导体;形成在第一有机半导体上的第一栅极绝缘件;形成在第一栅极绝缘件上的阻挡件;与阻挡件形成在相同层上并连接到漏极电极的像素电极;包含栅极电极的栅极线,其与数据线相交叉并形成在阻挡件上。 | ||
搜索关键词: | 有机 薄膜晶体管 阵列 | ||
【主权项】:
1.一种有机薄膜晶体管阵列板,包括:衬底;形成在所述衬底上的数据线;连接到所述数据线的源极电极;包含面对所述源极电极的部分的漏极电极;与所述源极电极和所述漏极电极部分交叠的第一有机半导体;形成在所述第一有机半导体上的第一栅极绝缘件;形成在所述第一栅极绝缘件上的阻挡件;与所述阻挡件形成在相同层上并连接到所述漏极电极的像素电极;及包含栅极电极的栅极线,其与所述数据线相交叉并形成在所述绝缘件上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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