[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610064386.8 | 申请日： | 2006-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101013722A | 公开（公告）日： | 2007-08-08 |
| 发明（设计）人： | 乡户宏充;德永肇 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/786;H01L29/417;H01L29/49;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;王忠忠 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于不用增加步骤数量来获得包含硅化物层的具有高导通电流的晶体管。包括该晶体管的半导体器件包括其中厚度从沟道形成区侧上的边缘增加的第一区和其中厚度比第一区的厚度更均匀的第二区。第一和第二区被垂直于水平线的线分开，该线经过穿过硅化物层的边缘且与水平线形成角度θ(0°＜θ＜45°)的线与硅化物层和杂质区之间的界面交叉处的点，并且第二区的厚度与硅膜的厚度之比为0.6或更大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：硅衬底，其包括沟道形成区、杂质区和硅化物层；在该硅衬底之上的栅绝缘膜；在该栅绝缘膜之上的栅电极；以及通过该硅化物层电连接到该杂质区的布线，其中该硅化物层包括其中厚度从沟道形成区侧上的边缘增加的第一区和其中厚度比该第一区的厚度更加均匀的第二区，其中，当该第一区和该第二区被垂直于水平线的第一线分开并且将该第一线与在该硅化物层和该杂质区之间的界面相交处的点假设为第一点时，经过该第一点和该边缘的第二线与该水平线形成角度θ(0°＜θ＜45°)，并且其中该第二区的厚度与该硅衬底的厚度之比为0.6或更大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610064386.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高活性骨钙牛奶/鸡蛋饼
- 下一篇：含甲硝唑的药物
- 同类专利
- 专利分类
