[发明专利]耐腐蚀的多层构件无效
| 申请号： | 200610064446.6 | 申请日： | 2006-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN101030524A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 中野瑞;塜谷敏彦;前田孝雄 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/3213;H01L21/31;H01L21/311;H01L21/205;H01L21/67;C23F4/00;C23C16/00;H01J37/32;H01J37/00;H05H1/00;B32B9/00;B32B3 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种待暴露于含有卤素的气体气氛中或含有卤素的气体等离子体气氛中的耐腐蚀构件，该构件包括基体和在基体上沉积的多层，该多层包括提供最外表面的稀土氟化物层和在稀土氟化物层下面的具有小于5％的孔隙率的稀土氧化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 腐蚀 多层 构件 | ||
【主权项】：
1、一种待暴露于含卤素的气体气氛中或含卤素的气体等离子体气氛中的耐腐蚀构件，该构件包括基体和在基体上沉积的多层，该多层包括提供最外层表面的稀土氟化物层和在稀土氟化物层下面的具有小于5％的孔隙率的稀土氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
