[发明专利]碳纳米管阵列的制备方法有效
| 申请号： | 200610064580.6 | 申请日： | 2006-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101209832A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 陈卓;罗春香;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种碳纳米管阵列的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在上述基底一表面形成一催化剂层；通入碳源气与载气的混合气体流经上述催化剂层表面；以及将激光束通过一振镜扫描系统聚焦照射在上述基底上从而生长碳纳米管阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管阵列的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在上述基底一表面形成一催化剂层；通入碳源气与载气的混合气体流经上述催化剂层表面；以及将激光束通过一振镜扫描系统聚焦照射在上述基底上从而生长碳纳米管阵列。
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