[发明专利]从镀膜操作除去金属的方法

摘要

本发明涉及用于除去金属的化合物和方法，例如，从无电镀膜操作中除去离子钴，优选除去后的水平小于5ppm。接着，金属可以被填埋或为电解提取和再利用而再生。本发明使用一种离子交换介质，该介质含有硅石骨架并被膦酸盐基团官能化。

主权项

1、一种从无电镀膜操作中除去金属的方法，包括向所述操作添加包括以下式1化合物的组合物：其中R和R¹分别独立地为氢，直链或支链C_1-40烷基，C_2-40链烯基或C_2-40炔基，芳基或C_1-40烷芳基或任选的络合金属离子Mⁿ⁺/n，其中n是从1到8的整数；硅酸盐氧原子的自由价被下列一种或多种饱和：式1中其它基团的硅原子，氢，直链或支链C_1-12烷基或交联桥成员R³_qM¹(OR²)_mO_k/2或Al(OR²)_3-pO_p/2或R³Al(OR²)_2-rO_r/2；其中M¹是Si或Ti；R²是直链或支链C_1-12烷基；R³是直链或支链C_1-6烷基；k是从1到4的整数，q和m是从0到2的整数；以使得m+k+q＝4；p是从1到3的整数；r是从1到2的整数；或者其它已知的氧金属桥键体系；x，y和z是整数以使对于片断[O_3/2SiCH(CH₂PO(OR)(OR¹))CH₂CH₂SiO_3/2]_x和[O_3/2SiCH₂CH₂PO(OR)(OR¹)]_y始终存在的情况x∶y+z的比值为从0.00001到100000变化，同时整数z是从0到200y。