[发明专利]直接沉积多晶硅的方法无效
| 申请号： | 200610064871.5 | 申请日： | 2006-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN1962936A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 王亮棠;陈麒麟;彭逸轩;张荣芳;黄志仁 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | C23C16/513 | 分类号： | C23C16/513;C23C16/24;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡光星 |
| 地址： | 台湾省新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用以在等离子辅助化学气相沉积(CVD)系统中形成多晶硅膜的方法，该系统包括其中设置第一电极及与该第一电极隔开的第二电极的室，该方法包含在该第二电极上提供基板，该基板包括暴露至第一电极的表面；施加第一功率至第一电极，用于在该室内产生等离子；在多晶硅膜的成核阶段期间施加第二功率至该第二电极，用于离子轰击该基板的表面，且将侵蚀气体流入该室中。 | ||
| 搜索关键词： | 直接 沉积 多晶 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用以在等离子辅助化学气相沉积(CVD)系统中形成多晶硅膜的方法，其特征是该系统包括其中设置第一电极及与该第一电极隔开的第二电极的室，该方法包含：在该第二电极上提供基板，该基板包括暴露于该第一电极的表面；施加第一功率至该第一电极，用于在该室内产生等离子；在该多该晶硅膜的成核阶段期间施加第二功率至该第二电极，用于离子轰击该基板的表面；且使侵蚀气体流进该室。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
