[发明专利]宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法无效
| 申请号： | 200610064883.8 | 申请日： | 2006-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101038866A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 刘宁;金鹏;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L33/00;H01L31/18;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法，所述材料生长方法是基于分子束外延设备的掩埋自组织量子点材料的生长方法，其中包括如下步骤：取一衬底；在衬底上制备砷化铝镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷化镓缓冲层上制备有源区，该有源区是该砷化铟/砷化铝镓量子点材料的核心部分，为该材料的光谱发射区；在有源区上制备低温砷化铝镓盖层，该低温砷化铝镓盖层为上述有源区的上势垒层；在低温砷化铝镓盖层上制备高温砷化铝镓盖层，该高温砷化铝镓盖层是该砷化铟/砷化铝镓量子点材料的最外一层，具有保护作用，完成材料的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 光谱 砷化铟 砷化铝镓 量子 材料 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法，所述材料生长方法是基于分子束外延设备的掩埋自组织量子点材料的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)取一衬底；(2)在衬底上制备砷化铝镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；(3)在砷化镓缓冲层上制备有源区，该有源区是该砷化铟/砷化铝镓量子点材料的核心部分，为该材料的光谱发射区；(4)在有源区上制备低温砷化铝镓盖层，该低温砷化铝镓盖层为上述有源区的上势垒层；(5)在低温砷化铝镓盖层上制备高温砷化铝镓盖层，该高温砷化铝镓盖层是该砷化铟/砷化铝镓量子点材料的最外一层，具有保护作用，完成材料的生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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