[发明专利]自发光面板及其制造方法无效
申请号: | 200610064898.4 | 申请日: | 2006-03-20 |
公开(公告)号: | CN1841761A | 公开(公告)日: | 2006-10-04 |
发明(设计)人: | 免田芳生 | 申请(专利权)人: | 日本东北先锋公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H05B33/12;H05B33/10 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 自发光面板及其制造方法。在设置辅助配线电极来降低上部电极的配线电阻的自发光面板中,确保良好的密封性能。本发明的自发光面板(1)在基板(10)上排列有自发光元件(2),自发光元件(2)包含:在基板(10)上直接或隔着其他层形成的下部电极(11),形成在下部电极(11)上的发光功能层(12),以及形成在发光功能层(12)上的上部电极(13);自发光面板(1)具有:配置在自发光元件(2)上的密封构件(20),使密封构件(20)粘接在自发光元件(2)上的粘接层(21),以及与上部电极(13)连接的辅助配线电极(22);形成在粘接层(21)的自发光元件(2)侧表面上的辅助配线电极(22)通过使粘接层(21)紧密接合在上部电极(13)上,与上部电极(13)连接。 | ||
搜索关键词: | 自发 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种自发光面板,在基板上排列有自发光元件,该自发光元件包含:在前述基板上直接或隔着其他层形成的下部电极,形成在该下部电极上的至少一层或一层以上的发光功能层,以及形成在该发光功能层上的上部电极,其特征在于,该自发光面板具有:配置在前述自发光元件上的密封构件,使该密封构件粘接在前述自发光元件上的粘接层,以及与前述上部电极连接的辅助配线电极;在前述密封构件的与前述自发光元件的对置面上形成有前述粘接层,形成在该粘接层的前述自发光元件侧表面上的前述辅助配线电极通过使前述粘接层与前述上部电极紧密接合,与前述上部电极连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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