[发明专利]SONOS栅极结构及其形成方法无效
| 申请号： | 200610064964.8 | 申请日： | 2006-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN1945851A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 李自强;黄俊仁;李宗霖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/792;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SONOS栅极结构及其形成方法，所述SONOS栅极结构，包含：一具有侧壁的栅极图案位于一基底上，其中栅极图案包括一栅极介电层及一栅极电极；一氧化层结构位于基底上及栅极图案的侧壁，其中氧化层结构包括一相对较薄的部分位于基底上，及一相对较厚的部分位于栅极图案的侧壁；以及一捕获侧壁介电层位于邻近栅极图案的侧壁的氧化层结构上。本发明所述SONOS栅极结构及其形成方法，可保持高速的写入/擦除速度，且可降低栅极干扰。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 栅极 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SONOS栅极结构，其特征在于，所述SONOS栅极结构包括：一具有侧壁的栅极图案位于一基底上，其中该栅极图案包括一栅极介电层及一栅极电极；一氧化层结构，位于该基底上及该栅极图案的侧壁，其中该氧化层结构包括一相对较薄的部分位于该基底上，及一相对较厚的部分位于该栅极图案的侧壁；以及一捕获侧壁介电层，位于该氧化层结构上。
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