[发明专利]层积层结构体及形成该结构体的方法无效
| 申请号： | 200610065288.6 | 申请日： | 2006-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN1838429A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托夫·菲盖 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种层积层结构体，该层积层结构体包括基材和至少含有两种复合物A和B的材料的多个层的层叠体，其中复合物A具有足以使复合物A在所述基材上均质外延生长或异质外延生长的晶体结构，并且其中层叠体的至少部分层具有梯度组成AxgB(1－xg)，其中x是范围为0≤x≤1的组成参数，并且组成参数(1－xg)在相应层的厚度上逐渐增大，特别是线性增大。为了改善关于表面粗糙度和位错密度的所述层积层结构体的品质，选择层叠体中具有梯度组成的层与层叠体中的后继层之间的界面处的组成参数使其比具有梯度组成的层的组成参数(1－xg)小。本发明还涉及制造该层积层结构体的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 层积 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种层积层结构体，该层积层结构体包含：基材(3)，和多个层(5a，...，5h)的层叠体(5)，所述层叠体(5)设置在所述基材(3)上，层中的材料至少包含两种复合物A和B，其中复合物A具有足以使复合物A在所述基材(3)上均质外延生长或异质外延生长的晶格参数，并且其中所述层叠体的至少部分层(5a，5c，5e，5g)具有梯度组成AxgB(1-xg)，其中x是范围为0≤x≤1的组成参数，并且组成参数(1-xg)在相应层的厚度上逐渐增大，特别是线性增大，其特征在于：在所述层叠体(5)中具有梯度组成的层(5a，5c，5e，5g)与所述层叠体(5)中的后继层(5b，5d，5f，5h)之间的界面处，所述后继层(5b，5d，5f，5h)的组成参数(1-xs)比具有梯度组成的层(5a，5c，5e，5g)的组成参数(1-xg)小。
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