[发明专利]多层金属层半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610065350.1 | 申请日： | 2006-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN1855473A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 黄泰钧;姚志翔;纪冠守;夏劲秋;梁孟松 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种多层金属层半导体元件及其制造方法。该多层金属层半导体元件包括：一第一金属层；一第一蚀刻中止层；一第一绝缘层；一第二金属层；一第二蚀刻中止层；一第二绝缘层；及一第三金属层。该制造方法包括：形成一第一金属层；形成一第一蚀刻中止层覆盖于该第一金属层上；形成一第一绝缘层覆盖于该第一蚀刻中止层上；形成一第二金属层覆盖于该第一绝缘层上；形成一第二蚀刻中止层覆盖于该第二金属层上；形成一第二绝缘层覆盖于该第二蚀刻中止层上；及形成一第三金属层覆盖于该第二绝缘层上，其中该第二蚀刻中止层和该第一蚀刻中止层对于相邻的膜层具有不同强度的附着力。本发明可减缓置放于半导体元件膜层上的结构的机械应力效应。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 金属 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多层金属层半导体元件，其特征在于其包括：一第一金属层；一第一蚀刻中止层覆盖于该第一金属层之上；一第一绝缘层覆盖于该第一蚀刻中止层之上；一第二金属层覆盖于该第一绝缘层之上；一第二蚀刻中止层覆盖于该第二金属层之上；一第二绝缘层覆盖于该第二蚀刻中止层之上；以及一第三金属层覆盖于该第二绝缘层之上，其中该第二蚀刻中止层和该第一蚀刻中止层对于相邻的膜层具有不同强度的附着力。
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