[发明专利]基板检查方法、半导体器件的制造方法以及基板检查装置无效
| 申请号： | 200610065365.8 | 申请日： | 2006-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN1838396A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 山崎裕一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N23/225 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 李峥;杨晓光 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基板检查方法，其中包括以下步骤：生成带电粒子射束；使所生成的上述带电粒子射束照射检查对象；会聚由从上述基板产生的二次带电粒子、反射带电粒子以及后方散射带电粒子中的至少一种构成的第1二次带电粒子射束，或透过了上述检查对象的第1透射带电粒子射束，并且，在上述二次带电粒子射束或上述透射带电粒子射束中，对应上述检查对象的结构而产生相位差；使上述二次带电粒子射束或上述透射带电粒子射束成像；检测成像的上述二次带电粒子射束或上述透射带电粒子射束，输出包含上述相位差的的信息的二次带电粒子射束像或透射带电粒子射束像的信号；使用上述二次带电粒子射束像或上述透射带电粒子射束像中所包含的上述相位差信息，检测上述检查对象的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 检查 方法 半导体器件 制造 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板检查方法，包括以下步骤：生成带电粒子射束；使所生成的上述带电粒子射束照射检查对象；会聚由从上述基板产生的二次带电粒子、反射带电粒子以及后方散射带电粒子中的至少一种构成的第1二次带电粒子射束，或透过了上述检查对象的第1透射带电粒子射束，并且，在上述二次带电粒子射束或上述透射带电粒子射束中，对应上述检查对象的结构而产生相位差；使上述二次带电粒子射束或上述透射带电粒子射束成像；检测成像的上述二次带电粒子射束或上述透射带电粒子射束，输出包含上述相位差的信息的二次带电粒子射束像或透射带电粒子射束像的信号；以及利用上述二次带电粒子射束像或上述透射带电粒子射束像中所包含的上述相位差的信息，检测上述检查对象的缺陷。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610065365.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：生产系统的网络开通方法
- 下一篇：用于塑料透镜与装置的氟化高聚物低反射层
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
