[发明专利]结型半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610065381.7 | 申请日： | 2006-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN1838435A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 野中贤一;桥本英喜;横山诚一;岩永健介;齐藤吉三 | 申请（专利权）人： | 本田技研工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L21/337 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 结型半导体装置及其制造方法。本发明的结型半导体装置具有：由形成于半导体晶体的一个面上的第一导电型的低电阻层构成的漏区(11)；由形成于半导体晶体的另一面上的第一导电型的低电阻层构成的源区(12)；形成于源区(12)周围的第二导电型的栅区(13)；以及源区(12)和漏区(11)之间的第一导电型的高电阻层(14)。在栅区(13)和源区(12)之间的半导体晶体的表面附近设有第二导电型的复合抑制半导体层(16)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种结型半导体装置，具有：由形成于半导体晶体的一个面上的第一导电型的低电阻层构成的漏区(11)；由形成于所述半导体晶体的另一个面上的第一导电型的低电阻层构成的源区(12)；形成于所述源区周围的第二导电型的栅区(13)；以及所述源区和所述漏区之间的第一导电型的高电阻层(14)，而且，在所述栅区和所述源区之间的所述半导体晶体的表面附近设有第二导电型的复合抑制半导体层(16)。
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