[发明专利]结型半导体装置的制造方法无效

专利信息
申请号: 200610065382.1 申请日: 2006-03-23
公开(公告)号: CN1838390A 公开(公告)日: 2006-09-27
发明(设计)人: 野中贤一;桥本英喜;横山诚一;岩永健介;齐藤吉三;岩黑弘明;清水正章;福田祐介;西川恒一;前山雄介 申请(专利权)人: 本田技研工业株式会社;新电元工业株式会社
主分类号: H01L21/337 分类号: H01L21/337
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 结型半导体装置的制造方法。该结型半导体装置的制造方法由以下工序构成:第一高电阻层形成工序;沟道掺杂层形成工序;第二高电阻层形成工序;形成作为源区的第一导电型的低电阻层(34)的工序;进行局部刻蚀直至低电阻层(34)和第二高电阻层(33)的中途深度的工序;在刻蚀工序中刻蚀后的部分的下部形成栅区(G)的工序;以及在栅区(G)和源区之间的区域的表面形成保护膜(38)的工序。在预先刻蚀到了源区下面和沟道掺杂层的上面之间的高度的面上,使用较低能量的离子注入来形成栅区。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
1.一种结型半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:在第一导电型的半导体衬底(30)的一个面上形成第一高电阻层(31)的工序;在所述第一高电阻层(31)上形成沟道掺杂层(32)的工序;在所述沟道掺杂层(32)上形成第二高电阻层(33)的工序;在所述第二高电阻层(33)上形成作为源区的第一导电型的低电阻层(34)的工序;进行局部刻蚀直到所述低电阻层(34)和所述第二高电阻层(33)的中途深度的工序;在所述刻蚀后的部分的下部形成栅区(G)的工序;在所述栅区(G)和所述源区之间的区域的表面形成保护膜(38)的工序;在所述低电阻层上接合源极(SG)、在所述栅区上接合栅极(GC)、以及在所述半导体衬底的另一面上接合漏极(DC)的工序;以及在源极(SC)和栅极(GC)的上方形成上层电极(OC)的工序。
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