[发明专利]灰色调掩模和薄膜晶体管基板的制造方法无效
申请号: | 200610065456.1 | 申请日: | 2006-03-22 |
公开(公告)号: | CN1837956A | 公开(公告)日: | 2006-09-27 |
发明(设计)人: | 佐野道明 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;H01L21/027;G02F1/136 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 灰色调掩模和薄膜晶体管基板的制造方法。本发明的课题是提供一种灰色调掩模,具备用灰色调掩模形成的器件图形、和用另外的光掩模被形成为具有与该器件图形重叠的部分的与栅电极及接触孔等相关的准确的标记。作为解决手段,具有掩模图形、以及与掩模图形的半透光部的形成的同时形成的与第2器件图形相关的标记图形(31),该掩模图形作为用于制造至少具有一个用灰色调掩模(20)形成的第1器件图形(30)、和用另外的光掩模被形成为具有与该第1器件图形(30)重叠的部分的接触孔(H)等的第2器件图形的被复制基板的、与第1器件图形(30)对应的掩模图形,与第1器件图形(30)和第2器件图形重叠的部分对应的灰色调掩模(20)上的区域成为半透光部。 | ||
搜索关键词: | 色调 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种灰色调掩模,在被复制基板上具有用于形成厚抗蚀剂图形、薄抗蚀剂图形和无抗蚀剂区域的厚抗蚀剂图形形成部、薄抗蚀剂图形形成部和无抗蚀剂区域形成部,上述薄抗蚀剂图形由半透光部构成,上述厚抗蚀剂图形形成部和上述无抗蚀剂区域形成部分别由根据在被复制基板上的抗蚀剂是正型还是负型而决定的遮光部或透光部构成,其特征在于,上述灰色调掩模至少具有:掩模图形,作为用于制造至少具有一个用上述灰色调掩模形成的第1器件图形、以及用另外的光掩模被形成为具有与该第1器件图形重叠的部分的第2器件图形的被复制基板的、与上述第1器件图形对应的掩模图形,与上述第1器件图形和上述第2器件图形重叠的部分对应的上述灰色调掩模上的区域成为半透光部;以及与上述半透光部的形成的同时形成的、与上述第2器件图形相关的标记图形。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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