[发明专利]成膜装置和成膜方法无效
申请号: | 200610065825.7 | 申请日: | 2006-03-23 |
公开(公告)号: | CN1837404A | 公开(公告)日: | 2006-09-27 |
发明(设计)人: | 松浦广行 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/34;C23C16/448;C23C16/52 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳;王雪燕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种成膜装置,其特征在于,具有:内部能够抽真空的纵型的筒状的处理容器;多段地保持多个被处理体,并且能够插拔于前述处理容器内的被处理体保持机构;设在前述处理容器的周围的加热机构;向前述处理容器内供给不含卤素的硅烷类气体的硅烷类气体供给机构;向前述处理容器内供给氮化气体的氮化气体供给机构;通过等离子体使前述氮化气体活性化的活性化机构;以及为了在前述被处理体上形成规定的薄膜,按照一边同时向前述处理容器内供给前述硅烷类气体和前述氮化气体一边使前述氮化气体活性化的方式,控制前述硅烷类气体供给机构、前述氮化气体供给机构和前述活性化机构的控制机构。 | ||
搜索关键词: | 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种成膜装置,其特征在于,具有:内部能够抽真空的纵型的筒状的处理容器;多段地保持多个被处理体,并且能够插拔于所述处理容器内的被处理体保持机构;设在所述处理容器的周围的加热机构;向所述处理容器内供给不含卤素的硅烷类气体的硅烷类气体供给机构;向所述处理容器内供给氮化气体的氮化气体供给机构;通过等离子体使所述氮化气体活性化的活性化机构;以及为了在所述被处理体上形成规定的薄膜,按照一边同时向所述处理容器内供给所述硅烷类气体和所述氮化气体一边使所述氮化气体活性化的方式,控制所述硅烷类气体供给机构、所述氮化气体供给机构和所述活性化机构的控制机构。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的