[发明专利]形成差别应变主动区的方法及其应变主动区有效
| 申请号： | 200610065826.1 | 申请日： | 2006-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN1841711A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 陈豪育;杨富量 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种形成差别应变主动区的方法及其应变主动区，其包括提供具有绝缘层上覆半导体结构的半导体基材；在半导体基材的绝缘层中形成掺杂区，此掺杂区是位于后续形成的NMOS主动区下方；图案化半导体基材的上半导体区，以形成NMOS主动区及PMOS主动区；实施热氧化制程以在NMOS主动区及PMOS主动区产生不同的体积膨胀；形成凹陷区，此凹陷区包括邻接于PMOS主动区两端的绝缘层；以及移除覆盖于上半导体区上的层以形成差别应变主动区，其包括N主动区及PMOS主动区。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 差别 应变 主动 方法 及其 | ||
【主权项】：
1.一种形成差别应变主动区的方法，适用于形成应变通道半导体元件，其特征在于其包括以下步骤：提供一半导体基材，且该半导体基材包括一下半导体区，覆盖于该下半导体区上的一绝缘层，以及覆盖于该绝缘层上的一上半导体区；于该绝缘层中形成一掺杂区，该掺杂区是位于后续形成的一NMOS主动区下方；图案化该上半导体区以形成该NMOS主动区及一PMOS主动区；实施一热氧化制程以在该NMOS主动区及该PMOS主动区产生不同的体积膨胀；形成一凹陷区，该凹陷区包括邻接于该PMOS主动区两端的该绝缘层；以及移除覆盖于该上半导体区上的层以产生差别的应变主动区，其包括该NMOS主动区及该PMOS主动区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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