[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供半导体器件及其制造方法，其能实现微型化且高度集成的FeRAM超薄半导体芯片，其中尽管为薄型封装结构，但铁电电容器的特性退化能够得到抑制。利用其填充剂含量值设定在重量百分比90％－ 93％的范围内的密封树脂，将该半导体芯片塑封起来，从而形成封装结构。本发明的半导体器件包括：半导体芯片，包含通过排列多个半导体元件构成的存储器单元，每个半导体元件包含铁电电容器结构，该铁电电容器结构通过将具有铁电特性的铁电膜夹在两个电极之间构成；以及密封树脂，用以覆盖并密封上述半导体芯片，该半导体器件形成具有1.27mm或更低的安装高度的薄型封装结构。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：形成半导体芯片，该半导体芯片包含由排列多个半导体元件构成的存储器单元，每个所述半导体元件包含铁电电容器结构，该铁电电容器结构通过将具有铁电特性的铁电膜夹在两个电极之间构成；以及利用密封树脂来密封该半导体芯片，以形成具有1.27mm或更低的安装高度的薄型封装结构，其中该密封树脂的填充剂含量以重量百分比表示为90％或更高。