[发明专利]集成电路记忆体及其操作方法有效

专利信息
申请号: 200610066187.0 申请日: 2006-03-24
公开(公告)号: CN1892893A 公开(公告)日: 2007-01-10
发明(设计)人: 强艾伦佛伊;史蒂夫伊顿;麦克莫瑞 申请(专利权)人: 茂德科技股份有限公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G11C7/22;G11C11/4076;G11C11/4096
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种用于集成电路记忆体的资料汇流排电路,包括用于将记忆体与I/O区块连接的每I/O垫4位元汇流排,但是仅将每I/O两位元用于写入,而每I/O垫4位元用于读取。在输入资料闪控讯号的每个下降边缘时,可经由汇流排传输后两个位元,故毋须精确地计数输入资料闪控脉冲。此外,该资料汇流排电路可相容于DDR1及DDR2操作模式。
搜索关键词: 集成电路 记忆体 及其 操作方法
【主权项】:
1.一种集成电路记忆体,包括一N位元读取/写入汇流排,该汇流排将该集成电路记忆体的I/O区连接至一主记忆体介面,而该N个位元中仅有M个位元用于写入,且M小于N。
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