[发明专利]半导体激光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610066495.3 | 申请日： | 2006-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1841864A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 山口勤;畑雅幸;狩野隆司;庄野昌幸;大保广树;野村康彦;伊豆博昭 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在能够减小阈值电流的同时还能够提高发光效率的半导体激光元件及其制造方法。该半导体激光元件包括：具有主表面的半导体基板；以及形成在半导体基板的主表面上，并具有相对于半导体基板的主表面实质上倾斜的主表面，同时，包括发光层的半导体元件层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光元件，其特征在于，包括：具有主表面的半导体基板；形成在所述半导体基板的主表面上，并具有相对于所述半导体基板的主表面实质上倾斜的主表面，同时包括发光层的半导体元件层；以及配置在所述半导体基板的主表面的规定区域内的成长抑制部，其中，所述成长抑制部含有缺陷集中区域。
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