[发明专利]在制程中测量低介电常数的薄膜性质无效
| 申请号： | 200610066511.9 | 申请日： | 2006-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1848396A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 蔡嘉祥;徐鹏富;彭宝庆;徐祖望;谢志宏;苏怡年;陶宏远 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种决定制造基板上低介电常数薄膜的介电系数的方法与系统。此方法包含用椭圆仪测量介电常数的电子组成，用红外光谱仪测量介电常数的离子组成，用微波光谱仪测量整体介电常数，推导出介电常数的偶极组成。此测量方法为非接触式。该系统包含：一椭圆仪用来测量该低介电常数薄膜的该介电常数的一电子组成和产生一测量电子组成；一红外光谱仪用来测量该低介电常数薄膜的该介电常数的一离子组成和产生一测量离子组成；一微波光谱仪用来测量该低介电常数薄膜的一整体介电常数和产生一测量的整体介电常数；一装置利用该测量的电子组成、该测量的离子组成和该测量的整体介电常数用来推导该介电常数的一偶极组成。 | ||
| 搜索关键词： | 制程中 测量 介电常数 薄膜 性质 | ||
【主权项】：
1、一种决定薄膜介电常数的方法，其特征在于其包含：提供一低介电常数薄膜于一基板的一反射层上；非接触模式决定该低介电常数薄膜的介电常数，其中决定该介电常数的步骤包含：测量该介电常数的一电子组成；测量该介电常数的一离子组成；以及测量一整体介电常数；以及从该电子组成、该离子组成和该整体介电常数推导出该介电常数的一偶极组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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