[发明专利]三维纳隙网格阵列微电极生物传感芯片无效

专利信息
申请号: 200610066541.X 申请日: 2006-03-30
公开(公告)号: CN101046458A 公开(公告)日: 2007-10-03
发明(设计)人: 赵湛;刘泳宏 申请(专利权)人: 中国科学院电子学研究所
主分类号: G01N27/04 分类号: G01N27/04;G01N33/48;C12Q1/02;B01D57/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周国城
地址: 100080北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种三维纳隙网格阵列微电极生物传感芯片,涉及微型分析芯片技术,是在绝缘基片上有一组金电极,电极上面覆盖一层纳米量级厚度的绝缘材料薄膜,绝缘材料上有一组与下面电极垂直交叉的电极,上下电极构成网格结构。上下电极交叉处及其周围的绝缘层被去掉,形成生物样品分析流动微型池。整个芯片上利用聚合物构成一个大的样品分析池。两个平面内的电极阵列可任意组合用于产生分离所需的电场,交叉点的上下电极构成纳米间隙阻抗测试传感器。本发明网格阵列式的纳隙微电极,可以对生物样品进行分离和可寻址的检测。
搜索关键词: 三维 网格 阵列 微电极 生物 传感 芯片
【主权项】:
1、一种三维纳隙网格阵列微电极生物传感芯片,包括绝缘基片、金属微电极、绝缘层和样品池;其特征在于,在一个绝缘基片的上表面,固接一组平行排列的金属微电极组成的下电极阵列,在下电极阵列的上表面,固接一绝缘层,在绝缘层上表面,再固接第二组平行排列的金属微电极组成的上电极阵列;下电极阵列的平行方向,与上电极阵列的平行方向垂直正交,上、下电极阵列构成三维网格结构;在上电极阵列的上表面四周,以聚合物凸起围成一样品点样池,样品点样池的面积大于上、下电极阵列的面积;在上、下电极阵列的每个电极交叉处,于绝缘层内,以交叉处的交叉点为中心围成的特定区域设有生物样品分析微型池,分析微型池的底面为绝缘基片的上表面,数个生物样品分析微型池成阵列排列;分析微型池的上方中心线上裸露出上电极,池底中心线上裸露出下电极,上、下电极在池底的正投影为垂直正交;样品点样池底部与分析微型池相通连。
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