[发明专利]半导体晶圆的处理有效
| 申请号： | 200610066632.3 | 申请日： | 2006-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN1848382A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 斯特凡纳·克莱蒂;韦罗尼克·迪凯努瓦－蓬 | 申请（专利权）人： | S.O.I.探测硅绝缘技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明描述一种处理一晶圆的方法，此晶圆具有至少一个半导体材料表面层，所述表面层的表面已经历一化学机械抛光步骤，继之以一RCA清洁步骤。在所述抛光步骤之后且在所述RCA清洁步骤之前，所述方法包括使用SCl溶液清洁所述半导体材料表面层的表面的中间步骤，SCl溶液是使得所述表面层(曲线B)中出现的缺陷比未经历所述中间清洁步骤的相似表面层(曲线A)的缺陷减少的浓度和温度条件下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 | ||
【主权项】：
1.一种处理晶圆(12)的方法，所述晶圆具有至少一个半导体材料表面层(121)，所述表面层的表面已经历化学机械抛光步骤，继之以RCA清洁步骤，所述方法的特征在于，在所述抛光步骤之后且在所述RCA清洁步骤之前，其包括使用SC1溶液清洁所述半导体材料表面层的所述表面的中间步骤，SC1溶液是使得所述表面层中出现的缺陷比未经历所述中间清洁步骤的相似表面层的缺陷减少的浓度和温度条件下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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