[发明专利]像素结构、薄膜晶体管阵列基板以及液晶显示面板有效

专利信息
申请号: 200610066761.2 申请日: 2006-04-11
公开(公告)号: CN101055879A 公开(公告)日: 2007-10-17
发明(设计)人: 任坚志;吴铭仁 申请(专利权)人: 中华映管股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/786;G02F1/1335;G02F1/136;G02F1/133
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 陈亮
地址: 台湾省台北*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种像素结构,适于由基板上的扫描线与数据线而驱动,此像素结构包括薄膜晶体管与像素电极。薄膜晶体管包括栅极、第一介电层、半导体层、源极与漏极、以及第二介电层。栅极与扫描线电连接。第一介电层覆盖栅极与扫描线。半导体层设置于栅极上方之第一介电层上,其中半导体层具有主体部以及与主体部连接的至少一个延伸部。源极与漏极设置于半导体层上,而源极与数据线电连接,并且延伸部自位于源极与漏极之间的主体部边缘突出。第二介电层覆盖源极与漏极,而第二介电层中设置有至少一个接触窗开口,暴露出延伸部和漏极。像素电极与薄膜晶体管的漏极电连接。
搜索关键词: 像素 结构 薄膜晶体管 阵列 以及 液晶显示 面板
【主权项】:
1.一种像素结构,适于由基板上的扫描线与数据线而驱动,其特征是该像素结构包括:薄膜晶体管,包括:栅极,与该扫描线电连接;第一介电层,覆盖该栅极与该扫描线;半导体层,设置于该栅极上方之该第一介电层上,其中该半导体层具有主体部以及与该主体部连接的至少一个延伸部;源极与漏极,设置于该半导体层上,该源极与该数据线电连接,并且该延伸部自位于该源极与该漏极之间的该主体部边缘突出;第二介电层,覆盖该源极与该漏极,而该第二介电层中设置有至少一个接触窗开口,暴露出该延伸部和该漏极;以及像素电极,与该薄膜晶体管的该漏极电连接。
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