[发明专利]像素结构、薄膜晶体管阵列基板以及液晶显示面板有效
申请号: | 200610066761.2 | 申请日: | 2006-04-11 |
公开(公告)号: | CN101055879A | 公开(公告)日: | 2007-10-17 |
发明(设计)人: | 任坚志;吴铭仁 | 申请(专利权)人: | 中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;G02F1/1335;G02F1/136;G02F1/133 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 台湾省台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种像素结构,适于由基板上的扫描线与数据线而驱动,此像素结构包括薄膜晶体管与像素电极。薄膜晶体管包括栅极、第一介电层、半导体层、源极与漏极、以及第二介电层。栅极与扫描线电连接。第一介电层覆盖栅极与扫描线。半导体层设置于栅极上方之第一介电层上,其中半导体层具有主体部以及与主体部连接的至少一个延伸部。源极与漏极设置于半导体层上,而源极与数据线电连接,并且延伸部自位于源极与漏极之间的主体部边缘突出。第二介电层覆盖源极与漏极,而第二介电层中设置有至少一个接触窗开口,暴露出延伸部和漏极。像素电极与薄膜晶体管的漏极电连接。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 薄膜晶体管 阵列 以及 液晶显示 面板 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构,适于由基板上的扫描线与数据线而驱动,其特征是该像素结构包括:薄膜晶体管,包括:栅极,与该扫描线电连接;第一介电层,覆盖该栅极与该扫描线;半导体层,设置于该栅极上方之该第一介电层上,其中该半导体层具有主体部以及与该主体部连接的至少一个延伸部;源极与漏极,设置于该半导体层上,该源极与该数据线电连接,并且该延伸部自位于该源极与该漏极之间的该主体部边缘突出;第二介电层,覆盖该源极与该漏极,而该第二介电层中设置有至少一个接触窗开口,暴露出该延伸部和该漏极;以及像素电极,与该薄膜晶体管的该漏极电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中华映管股份有限公司,未经中华映管股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610066761.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:单桨叶水平轴螺旋桨型风力发电机
- 下一篇:锅茶粉及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的