[发明专利]电子发射器件和制造电子发射器件的方法无效
| 申请号： | 200610066801.3 | 申请日： | 2006-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1862755A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | 洪秀奉;李天珪;李相祚;全祥皓;安商爀 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01J29/02 | 分类号： | H01J29/02;H01J29/04;H01J31/12;H01J1/304;H01J1/46 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王琦;宋志强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子发射器件，包括：第一基板；面对第一基板并且与第一基板隔开预定间距的第二基板；阴极，每个阴极包括在第一基板上形成的第一电极和与第一电极间隔开的多个第二电极；在多个第二电极上形成的电子发射区；互连第一电极和多个第二电极的每一个、并且围绕电子发射区的电阻层；置于电阻层和阴极之上的绝缘层；和在绝缘层之上形成的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 发射 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种电子发射器件，包括：第一基板；面对该第一基板并且与该第一基板隔开预定间距的第二基板；阴极，每个阴极包括在该第一基板上形成的第一电极和与该第一电极间隔开的第二电极；在所述第二电极上形成的电子发射区；互连所述第一电极和第二电极、并且围绕所述电子发射区的电阻层；位于所述电阻层和阴极之上的绝缘层；和在该绝缘层之上形成的栅极。
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