[发明专利]有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法无效
申请号: | 200610066840.3 | 申请日: | 2006-03-29 |
公开(公告)号: | CN1841759A | 公开(公告)日: | 2006-10-04 |
发明(设计)人: | 崔泰荣;金保成 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/28 | 分类号: | H01L27/28;H01L21/84 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭鸿禧;常桂珍 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种有机薄膜晶体管阵列面板,其包括:基底;数据线,形成在基底上;栅极线,在所述基底上与数据线交叉,所述栅极线包括栅电极;栅极绝缘层,形成在栅极线上,所述栅极绝缘层包括接触孔;源电极,形成在栅极绝缘层上,所述源电极通过接触孔结合到数据线;像素电极,包括漏电极,所述漏电极与源电极相对地设置,且源电极和漏电极之间具有间隙,所述间隙位于栅电极上;钝化层,包括开口,通过该开口至少部分暴露漏电极和源电极;有机半导体,形成在开口中;保护层,形成在有机半导体上。 | ||
搜索关键词: | 有机 薄膜晶体管 阵列 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、有机薄膜晶体管阵列面板包括:基底;数据线,形成在所述基底上;栅极线,在所述基底上与所述数据线交叉,所述栅极线包括栅电极;栅极绝缘层,形成在所述栅极线上,所述栅极绝缘层包括接触孔;源电极,形成在所述栅极绝缘层上,所述源电极通过所述接触孔结合到所述数据线;像素电极,包括漏电极,所述漏电极与所述源电极相对地设置且所述源电极和所述漏电极之间具有间隙,所述间隙位于所述栅电极上;钝化层,包括开口,通过所述开口至少部分暴露所述源电极和所述漏电极;有机半导体,形成在所述开口中;保护层,形成在所述有机半导体上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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