[发明专利]利用具有热流动特性的负光刻胶层制造半导体的方法无效
| 申请号： | 200610066854.5 | 申请日： | 2006-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1841206A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 何邦庆;施仁杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 薛平 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制造半导体元件的方法，包括形成负光刻胶层，此负光刻胶层形成后可被显影剂溶解。负光刻胶层利用无铬膜光刻掩膜形成图案，此图案化至少改变负光刻胶层的一部分，使被改变部分不被显影剂所溶解。将已图案化的负光刻胶层显影，并移除未改变的部分以在负光刻胶层上产生至少一个孔洞，并加热负光刻胶层使之流动。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 具有 流动 特性 光刻 制造 半导体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造部分半导体元件的方法，其特征是至少包含：形成负光刻胶层，覆盖于下方层上，该负光刻胶层形成后可被显影剂溶解；利用无铬膜光刻掩膜将该负光刻胶层图案化，该图案化至少改变该负光刻胶层的一部分，该被改变的部分不被该显影剂溶解；显影该负光刻胶层以在该负光刻胶层上产生至少一个孔洞，该孔洞可通过移除该负光刻胶层的未改变部分而产生；以及将该负光刻胶层加热，其中该负光刻胶层可因加热流动。
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