[发明专利]存储器使用寿命提高方法及硬件装置无效
申请号: | 200610066985.3 | 申请日: | 2006-04-04 |
公开(公告)号: | CN101051522A | 公开(公告)日: | 2007-10-10 |
发明(设计)人: | 陈新 | 申请(专利权)人: | 北京锐科天智科技有限责任公司;许丰 |
主分类号: | G11C7/00 | 分类号: | G11C7/00;G11C8/00 |
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地址: | 100075北京市丰台区南三*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种提高存储器使用寿命的方法,由原始数据块,备份数据区和备份数据规则组成。通过每次写非同一块数据区或多块备份数据区来提高整体存储器的可擦写次数与可靠性。每次写非同一块数据区降低了反复写某区域的频率。每次写多块备份数据区降低了某数据区损坏对数据有效性的影响。所述提高半导体存储器使用寿命的方法特别适于对错误计数器、防掉电数据区、定长数据区或变长数据区的寿命延长,主要用于存储器和带存储器的设备的寿命延长如FLASH和智能卡。所述每个数据块的结构可以为数据+校验,通过重新计算校验值并进行核对可以判断某数据块所在存储单元的有效性。所述的提高存储器使用寿命的方法,在提高寿命的同时还提供安全保护。本发明还公开了一种长寿命智能卡,一种长寿命数字电位器和一种长寿命电子设备。 | ||
搜索关键词: | 存储器 使用寿命 提高 方法 硬件 装置 | ||
【主权项】:
1、一种提高存储器使用寿命的方法,由原始数据块,备份数据区和备份数据规则组成。通过每次写非同一块数据区或多块备份数据区来提高整体存储器的可擦写次数与可靠性。每次写非同一块数据区降低了反复写某区域的频率。每次写多块备份数据区降低了某数据区损坏对数据有效性的影响。所述提高半导体存储器使用寿命的方法特别适于对错误计数器、防掉电数据区、定长数据区或变长数据区的寿命延长,主要用于存储器和带存储器的设备的寿命延长(如FLASH、EEPROM、其它半导体存储器、数字电位器和智能卡)。
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