[发明专利]形成低温生长缓冲层的方法、发光元件及其制造方法和发光器件有效
| 申请号： | 200610067005.1 | 申请日： | 2006-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1841800A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 牛田泰久;筱田大辅;山崎大辅;平田宏治;池本由平;柴田直树;青木和夫;恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉;岛村清史 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社;株式会社光波 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种形成低温生长缓冲层的方法，包括以下步骤：将Ga2O3衬底置于MOCVD设备中；在MOCVD设备中提供H2气氛并设定缓冲层生长条件，所述生长条件包括气氛温度为350℃－550℃；和在缓冲层生长条件下，向Ga2O3衬底上供应包含TMG、TMA和NH3中的两种或更多种的源气，以在Ga2O3衬底上形成低温生长缓冲层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 低温 生长 缓冲 方法 发光 元件 及其 制造 器件 | ||
【主权项】：
1.一种形成低温生长缓冲层的方法，包括以下步骤：将Ga2O3衬底置于MOCVD设备中；在MOCVD设备中提供H2气氛并设定缓冲层生长条件，所述生长条件包括气氛温度为350℃-550℃；和在缓冲层生长条件下，向Ga2O3衬底上供应包含TMG、TMA和NH3中的两种或更多种的源气，以在Ga2O3衬底上形成低温生长缓冲层。
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