[发明专利]一种高质量InN薄膜的获取方法无效
| 申请号： | 200610067134.0 | 申请日： | 2006-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101051608A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 张日清;康亭亭;刘祥林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体材料与器件技术领域，特别是半导体InN薄膜材料的制备方法。在衬底上生长完InN薄膜之后，再在上面生长一层易于去除的、熔点和分解温度都高于InN材料的可在低温下生长的材料，我们称这层材料为盖层；接下来在氮气和氨气保护下对上面得到的外延片进行退火处理；最后去除上面生长的盖层和盖层与InN材料之间的互扩散层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 inn 薄膜 获取 方法 | ||
【主权项】：
1.一种获取高质量InN薄膜的方法，其步骤特征如下：InN薄膜生长完以后，紧接着在其上面生长一层，称这一层为盖层，易于去掉的、熔点和分解温度都高于InN的可在低温下生长盖层的材料，生长温度在300-500℃；接下来在氮气和氨气保护下对上面得到的外延片进行退火处理，最后去除上面所加的盖层和盖层与InN之间的互扩散层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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