[发明专利]导电的非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法无效
| 申请号： | 200610067142.5 | 申请日： | 2006-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN1851944A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | 彭晖;彭一芳 | 申请（专利权）人： | 金芃;彭晖 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100871北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明揭示导电的非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法。导电的非极化的复合氮化镓基衬底的一个实施实例：导电的反射/欧姆/应力缓冲层层叠在导电的支持衬底和导电的非极化的氮化镓基外延层之间。导电的非极化的复合氮化镓基衬底的生产方法的主要工艺步骤如下：在生长衬底上，依次生长中间媒介层(或晶核层)和非极化的第一氮化镓基外延层，层叠掩膜层，蚀刻掩膜层形成氮化镓窗口和掩膜层条，生长导电的非极化的第二氮化镓外延层，层叠导电的反射/欧姆/应力缓冲层，键合导电的支持衬底，剥离生长衬底、中间媒介层(或晶核层)、非极化的第一氮化镓外延层、掩膜层条、和导电的非极化的第二氮化镓外延层中带有空洞的部分，热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 极化 复合 氮化 衬底 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.一种导电的非极化的复合氮化镓基衬底，包括：(a)导电的支持衬底；(b)导电的非极化的氮化镓基外延层；所述的导电的非极化氮化镓基外延层键合于所述的导电的支持衬底上；所述的导电的非极化氮化镓基外延层包括，n-和p-类型。
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