[发明专利]固态图像拾取装置及其制造方法有效
申请号: | 200610067363.2 | 申请日: | 2006-02-05 |
公开(公告)号: | CN1819252A | 公开(公告)日: | 2006-08-16 |
发明(设计)人: | 田谷圭司;阿部秀司;大桥正典;正垣敦;山本敦彦;古川雅一 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/822 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李晓舒;魏晓刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及固态图像拾取装置及其制造方法。该固态图像拾取装置包括:阱区表面上的电隔离像素的元件隔离绝缘膜;第一隔离扩散层,其在元件隔离绝缘膜下面电隔离像素;以及第二隔离扩散层,其在第一隔离扩散层下面电隔离像素,其中电荷积累区设置于由第一和第二隔离扩散层围绕的阱区中,第一隔离扩散层的内周部分形成突出区,具有第一隔离扩散层的导电类型的杂质和具有电荷积累区的导电类型的杂质在突出区中混合,并且电荷积累区的在电荷积累区和第二隔离扩散层之间的部分在突出区下邻接或邻近第二隔离扩散层。 | ||
搜索关键词: | 固态 图像 拾取 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种固态图像拾取装置,其中多个包括光电转换部件的像素在半导体衬底上设置的阱区中二维地排列,该光电转换部件具有积累信号电荷的电荷积累区,该固态图像拾取装置包括:在该阱区的表面上的电隔离该像素的元件隔离绝缘膜;在该元件隔离绝缘膜下面的电隔离该像素的第一隔离扩散层;以及在该第一隔离扩散层下面的电隔离该像素的第二隔离扩散层,其中,该电荷积累区设置于由该第一隔离扩散层和该第二隔离扩散层围绕的该阱区中,该第一隔离扩散层的相应于该电荷积累区和该第一隔离扩散层之间的边界的内周部分形成突入该电荷积累区的突出区,在该突出区中,具有该第一隔离扩散层的导电类型的杂质和具有该电荷积累区的导电类型的杂质混合,以及该电荷积累区的与该电荷积累区和该第二隔离扩散层之间的边界相应的部分设置于该突出区下面,并邻接该第二隔离扩散层或邻近其设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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