[发明专利]不对称的脊形氮化镓基半导体激光器及其制作方法

摘要

一种不对称的脊形波导氮化镓基半导体激光器，包括：一衬底；在该衬底依次生长的欧姆接触层、下限制层、下波导层、有源层、电子阻挡层、上波导层、上限制层、覆盖层，经过刻蚀后该上限制层形成台阶状结构，并制作绝缘层及欧姆电极。其是利用刻蚀方法在平行于结的方向形成不对称脊形波导GaN基激光器结构，该结构在脊形条宽较大时也可以实现激光器在基模下工作，这种结构的脊形宽度较普通脊形结构实现基模工作所允许的脊形宽度大，在注入电流密度相同的情况下，可以增加注入电流，从而提高激光器在基模工作时的输出功率。

主权项

1、一种不对称的脊形波导氮化镓基半导体激光器，其特征在于，其中包括：一衬底；一欧姆接触层，该欧姆接触层制作在衬底上；一下限制层，该下限制层制作在欧姆接触层上，该下限制层的面积小于欧姆接触层；一下波导层，该下波导层制作在下限制层上；一有源层，该有源层制作在下波导层上；一电子阻挡层，该电子阻挡层制作在有源层上；一上波导层，该上波导层制作在电子阻挡层上；一上限制层，该上限制层制作在上波导层上，该上限制层在刻蚀后形成台阶状结构，越是上面的一层面积越小；一覆盖层，该覆盖层生长在上限制层的上面，脊形结构刻蚀结束后，只有面积最小的部分上限制层上保留覆盖层；一绝缘层，该绝缘层制作在部分欧姆接触层、部分上限制层上，以及下限制层、下波导层、有源层、电子阻挡层、上波导层、上限制层和覆盖层的一侧；一欧姆电极，该欧姆电极制作在欧姆接触层上；一欧姆电极，该欧姆电极制作在覆盖层的上表面及上限制层和覆盖层上的绝缘层上。