[发明专利]非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法无效
| 申请号： | 200610067517.8 | 申请日： | 2006-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN1845349A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 彭晖 | 申请（专利权）人： | 金芃;彭晖 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/18;H01L21/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100871北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明揭示非极化(non－polar)的复合氮化镓基衬底及生产方法。非极化的复合氮化镓基衬底的结构为：反射/欧姆/应力缓冲层层叠在支持衬底与非极化的氮化镓基外延层之间。生产非极化的复合氮化镓基衬底的主要工艺步骤如下：在生长衬底上，依次生长中间媒介层(或晶核层)和非极化的第一氮化镓基外延层；层叠掩膜层；蚀刻掩膜层形成氮化镓窗口和掩膜层条；生长非极化的第二氮化镓基外延层；层叠反射/欧姆/应力缓冲层；键合支持衬底；剥离生长衬底、中间媒介层(或晶核层)、非极化的第一氮化镓基外延层、掩膜层条、和非极化的第二氮化镓基外延层中带有空洞的部分，非极化的第二氮化镓基外延层中没有空洞的部分暴露，进行热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 极化 复合 氮化 衬底 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非极化的复合氮化镓基衬底，包括，但不限于：(a)支持衬底；(b)非极化的氮化镓基外延层；所述的非极化氮化镓基外延层键合于所述的支持衬底上。
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