[发明专利]掺钕钼酸钆钡激光晶体及其制备方法和用途无效
| 申请号： | 200610067567.6 | 申请日： | 2006-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN101037802A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 王国富;赵丹;林州斌;张莉珍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 掺钕钼酸钆钡激光晶体及其制备方法和用途，涉及人工晶体领域，特别是涉及一种激光晶体掺钕钼酸钆钡BaGd2(MoO4)4及其制备方法和用途。采用提拉法(Czochralski方法)，在1073℃，以15～40转/分钟的晶体转速，0.5～2毫米/小时的拉速，生长出了高质量、较大尺寸的Nd3+:BaGd2(MoO4)4晶体。该晶体是一种新型的激光晶体，可产生1060nm波长的激光输出。 | ||
| 搜索关键词： | 钼酸 激光 晶体 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
1.一种掺钕钼酸钆钡激光晶体，其特征在于：该晶体的分子式为Nd3+:BaGd2(MoO4)4，Nd3+离子掺杂浓度在0.5at.-15at.％之间。属于单斜晶系，空间群为C2/c，晶胞参数为a＝5.269(4)，b＝12.665(9)，c＝19.410(8)，β＝91.504°，V＝1295.0(6)3，Dc＝5.599g/cm3。
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