[发明专利]高效的无机纳米杆增强的光电装置无效
申请号: | 200610067699.9 | 申请日: | 2006-03-16 |
公开(公告)号: | CN1855552A | 公开(公告)日: | 2006-11-01 |
发明(设计)人: | L·特萨卡拉科斯;J·-U·李;C·S·科尔曼;S·勒博尤夫;A·厄邦格;R·沃纳罗斯基;A·M·斯里法斯塔法;O·苏利马 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | H01L31/0248 | 分类号: | H01L31/0248;H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 李静岚;梁永 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及包括纳米结构材料的光电装置,其中这种光电装置专门由无机成分组成。根据实施例,这种纳米结构的材料是1维的纳米结构(201)或分支的纳米结构(2302),其中使用这种纳米结构来增强该光电装置的效率,尤其是用于太阳能电池的应用。另外,本发明还涉及制造和使用这种装置的方法。 | ||
搜索关键词: | 高效 无机 纳米 增强 光电 装置 | ||
【主权项】:
1.一种光电装置,包括:a)衬底(103);b)第一区域(101a),其包括以基本垂直的定向位于衬底上的1维纳米结构阵列;c)第二区域(101b),其位于第一区域的顶部上,以使第一和第二区域的接触形成至少一个电荷分离结;d)第三区域(105),其包括存在作为第二区域顶部上的一层的导电透明材料;和e)顶部和底部接触,其可用于将该装置连接到外部电路,其中底部接触与第一区域电接触,且顶部接触与第二区域电接触;其中第一(101a)、第二(101b)和第三(105)区域专门由无机成分组成。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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