[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种具有由含铝的配线层构成的焊盘的半导体装置及其制造方法，可谋求其成品率的提高。本发明的半导体装置的制造方法包括：将形成在半导体衬底(10)最上层的第二配线层(22)(例如由铝构成)上的反射防止层(23A)(例如由钛合金构成)的一部分蚀刻除去的工序；形成覆盖反射防止层(23A)及未形成反射防止层(23A)的第二配线层(22)的一部分上，并且具有将第二配线层(22)的其他部分露出的开口部(24)的钝化层(25A)的工序；通过切割将半导体衬底(10)分离为多个半导体芯片的工序。由此，在开口部(24)内不露出反射防止层23A，可抑制现有例中出现的第二配线层(22)和反射防止层(23A)的电池反应引起的第二配线层22的溶出。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体芯片；配线层，其形成在所述半导体芯片上；反射防止层，其形成在所述配线层的一部分上；钝化层，其覆盖所述配线层及反射防止层，所述钝化层具有不露出所述反射防止层的端部而露出所述配线层的一部分的开口部。