[发明专利]金属－绝缘层－金属电容器的制造方法有效
| 申请号： | 200610067991.0 | 申请日： | 2006-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101047173A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 林平伟;巫金佳;姜兆声 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L27/02;H01L27/06;H01L27/102;H01L27/108;H01L29/92;H01L21/00;H01L21/02;H01L21/82;H01L21/8222;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种金属－绝缘层－金属电容器的制造方法，首先于衬底上形成一层第一金属层，然后，对第一金属层表面进行等离子体处理工艺。接着，于第一金属层上依序形成一层第一氧化层、氮化层及第二氧化层。之后，于第二氧化层上形成一层第二金属层。然后，定义第二金属层、第二氧化层、氮化层、第一氧化层及第一金属层，以形成金属－绝缘层－金属电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属-绝缘层-金属电容器的制造方法，包括：于一衬底上形成一第一金属层；对该第一金属层表面进行一第一等离子体处理工艺；于该第一金属层上形成一第一氧化层；于该第一氧化层上形成一氮化层；于该氮化层上形成一第二氧化层；于该第二氧化层上形成一第二金属层；以及定义该第二金属层、该第二氧化层、该氮化层、该第一氧化层及该第一金属层，以形成该金属-绝缘层-金属电容器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610067991.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：软包装锂电池电芯的封装方法
- 下一篇：生物软木纱或软木编织布和革的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
