[发明专利]非易失性半导体存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610068044.3 | 申请日： | 2006-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1838415A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 渡边浩志;木下敦宽;高岛章;萩岛大辅 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/788;H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种非易失性半导体存储器件，包括半导体衬底；形成在半导体衬底中的多个隔离区域；形成在相邻隔离区域之间的元件形成区域；提供在元件形成区域上的第一栅极绝缘膜；提供在第一栅极绝缘膜上的浮栅电极，在沿着垂直于隔离区域延伸方向的方向上的剖面中，浮栅电极面对元件形成区域的下边缘的宽度小于元件形成区域的宽度；提供在浮栅电极上的第二栅极绝缘膜；和提供在第二栅极绝缘膜上的控制栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储器件，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底中的多个隔离区域；形成在相邻隔离区域之间的元件形成区域；提供在所述元件形成区域上的第一栅极绝缘膜；提供在所述第一栅极绝缘膜上的浮栅电极，在沿着垂直于隔离区域延伸方向的方向上的剖面中，所述浮栅电极面对所述元件形成区域的下边缘的宽度小于所述元件形成区域的宽度；提供在所述浮栅电极上的第二栅极绝缘膜；和提供在所述第二栅极绝缘膜上的控制栅极电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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