[发明专利]半导体器件以及图像显示装置

摘要

本发明提供一种半导体器件和图像显示装置。本发明的半导体器件在玻璃衬底(1)上形成有氮化硅膜(2)和氧化硅膜(3)。在该氧化硅膜(3)上形成有薄膜晶体管(T)，它包括源区(45)、漏区(46)、具有规定沟道长度的沟道区(40)、具有比沟道区(40)的杂质浓度高并比源区(45)和漏区(46)的杂质浓度低的杂质浓度的LDD区(44)和GOLD区(42)、栅绝缘膜(5)和栅电极(6a)。栅电极(6a)按照与沟道区(40)和GOLD区(42)在平面上交叠的方式而形成的。据此可以得到提高了源/漏耐压的半导体器件和图像显示装置。

主权项

1.一种半导体器件，包括在规定的衬底上形成的、具有半导体层、绝缘膜和电极的半导体元件，其中，所述半导体元件包括：在所述半导体层中形成的第1杂质区，在上述半导体层中、与所述第1杂质区相隔一定距离而形成的第2杂质区，在位于所述第1杂质区和所述第2杂质区之间的那部分半导体层中形成的、成为具有规定的沟道长度的沟道的沟道区域，在位于所述第2杂质区和所述沟道区之间的那部分半导体层中、以与所述沟道区相连接的方式形成的第3杂质区，在位于所述第2杂质区和所述第3杂质区之间的那部分半导体层中形成的第4杂质区；在所述的半导体元件中，所述电极具有互相相对的一侧部分和另一侧部分，所述第4杂质区与所述第2杂质区和所述第3杂质区相连接，在所述第1杂质区的所述沟道区一侧的边缘与所述一侧部分位于大致相同的平面上，同时所述第3杂质区与所述第4杂质区的接合部分与所述另一侧部分位于大致相同的平面上，所述电极与各沟道区和第3杂质区的全体相对并且交叠地形成，所述绝缘膜以分别与所述半导体层和所述电极相接触的方式在所述半导体层和所述电极之间形成，所述第3杂质区和所述第4杂质区的各自的杂质浓度被设定为比所述第1杂质区和所述第2杂质区各自的杂质浓度低，且比所述沟道区的杂质浓度高，以及所述第3杂质区的杂质浓度被设定为不同于所述第4杂质区的杂质浓度。