[发明专利]半导体加速度传感器装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610068046.2 | 申请日： | 2006-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1873421A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 猪野好彦 | 申请（专利权）人： | 冲电气工业株式会社 |
| 主分类号： | G01P15/00 | 分类号： | G01P15/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体加速度传感器装置及其制造方法，可以抑制因周围温度变化在加速度传感器芯片中产生的畸变而使半导体加速度传感器装置的检测精度提高。该半导体加速度传感器装置包括：将加速度传感器芯片容纳在内部的中空的封装，在封装的内部底面的预定区域内形成有凹部；填充凹部的具有粘接性的低弹性构件；以及配置在低弹性构件上的加速度传感器芯片，低弹性构件与加速度传感器芯片的粘接面比底面高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 加速度 传感器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体加速度传感器装置，包括：将加速度传感器芯片容纳在内部的中空的封装，在上述封装内部的底面的预定区域内形成有凹部；填充上述凹部的具有粘接性的低弹性构件；以及配置在上述低弹性构件上的上述加速度传感器芯片，上述低弹性构件与上述加速度传感器芯片的粘接面比上述底面高。
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